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数据列表IRF(B,S,SL)4410ZPBF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品培训模块High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)标准包装50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®包装管件FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）97A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）9 毫欧 @ 58A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4V @ 150µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4820pF @ 50V功率 - 最大值230W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)

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