电动车充电器MOS HY2086(8N60)

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HY20868A 600V N-Channel MOSFET 产品说明8A, 600V, RDS(on) = 0.96Ω @VGS = 10 VLow gate charge ( typical 23 nC)Low Crss ( typical 11 pF)Fast switching100% avalanche testedImproved dv/dt capability

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后羿半导体科技有限公司

主 营:元器件,后羿控制器,控制器MOSFET HY1001P ID 75A,控制器MOSFET HY1001P VDS 75V,控制器MOSFET HY1808P I
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